2017年3月10日，德国于利希研究中心赵清太教授应邀访问williamhill威廉希尔官网微纳电子学研究院，在微纳电子大厦205会议室做了题为《超陡亚阈摆幅晶体管》（Steep slope devices）的学术报告。报告会由黎明研究员主持。
赵清太教授主要从事纳米尺度新器件与新工艺等方面的研究。他在报告中介绍了近年来在超低功耗的超陡亚阈摆幅器件方面的研究成果，指出随着大规模集成电路特征尺寸不断缩小，短沟道效应引起的功耗限制将显著制约集成电路技术发展，从而需要从器件的开关机制出发展开研究。他还对基于量子隧穿机制和基于负电容电压放大机制的两种新型器件，从器件设计到关键工艺给予尽的论述，内容丰富，表达生动，博得好评。
微纳电子学研究院副院长蔡一茂研究员，安霞副教授，王茂俊副教授以及20余名学生聆听报告，并与报告人进行了深入、热烈的讨论。
